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 DW52C3V6LED02 WBFBP02C 江苏长晶稳压二极管深度解析 

时间:2025-08-07 阅读量:1

 DW52C3V6LED02 WBFBP02C 江苏长晶稳压二极管深度解析 
 1. 产品概述与技术定位  
DW52C3V6LED02 是江苏长电科技(JCET)推出的一款高性能稳压二极管(齐纳二极管),采用先进的磷化铝镓铟(AlGaInP)材料制造,封装形式为超微型 WBFBP02C(尺寸仅 1.0×0.6×0.5 mm)。其核心功能是通过齐纳击穿效应实现精准电压调节,典型稳压值为 3.6V,主要服务于对电路稳定性和空间要求严苛的电子设备,如便携式设备、工业控制系统及汽车电子等。 
 2. 关键性能参数  
 稳压范围:在测试电流 5mA 条件下,稳压值范围为 3.4V3.8V(典型值 3.6V),确保输出电压波动极小。  
 阻抗特性:最大齐纳阻抗为 90Ω(@5mA),有效抑制电流突变对电路的影响。  
 能效与功耗:静态功耗仅 100mW,反向漏电流低至 5μA@1V反向电压),显著降低待机功耗。  
 温度适应性:工作温度覆盖 40°C +150°C,温度系数为 3.50 mV/°C,适用于高温工业环境及低温汽车应用。 
 3. 封装与可靠性设计  
WBFBP02C 封装采用无引线表面贴装技术(SMD),具有以下优势:  
 空间优化:微型化设计(厚度 0.5mm)节省 PCB 空间,适配可穿戴设备等紧凑型产品。  
 自动化兼容:封装结构支持高速贴片工艺,提升生产效率。  
 多重保护:集成过压保护(OVP)和过温保护(OTP),结合 1250°C/W 的热阻性能,防止器件因瞬态电压或温度失控损坏。 
 4. 工作原理:齐纳击穿效应  
当反向电压达到临界值(3.6V)时,二极管进入雪崩击穿状态,此时电流急剧增大而电压保持稳定,形成“钳位”效果。此特性可吸收输入端的电压尖峰(如电源波动或静电放电),为后级敏感电路(如 MCU、传感器)提供“电压屏障”。 
 5. 应用场景与行业价值  
 消费电子:用于手机闪光灯驱动、LCD 背光稳压,提升能效并延长电池寿命。  
 工业控制:为 PLC 模块、传感器提供稳定电压,抵御电机启停导致的电压浪涌。  
 汽车电子:保护车载仪表盘、氛围灯电路免受 12V 系统瞬态干扰。  
 ESD 防护:可作为 TVS 二极管的替代方案,抑制静电放电(如 DTESD 系列同类封装器件)。 
 6. 市场竞争力与创新点  
江苏长晶依托国家级封装技术实验室,通过 WBFBP02C 封装的标准化设计,实现与 DTESD 系列 TVS 二极管的管脚兼容,简化客户电路板设计。同时,100% 全检出厂策略保障了高可靠性,满足汽车与医疗设备的严苛标准。
 结语  
DW52C3V6LED02 3.6V 精准稳压为核心,融合 AlGaInP 材料技术与 WBFBP02C 微型封装,在能效、空间适应性和可靠性上树立了新标杆。其设计充分体现了国产半导体器件在细分市场的技术突破——从消费电子到工业核心模块,这款器件正成为电路保护的“隐形卫士”,推动电子系统向更稳定、更紧凑的方向演进。
 

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