碳化硅（SiC）MOSFET与氮化镓（GaN）器件作为第三代半导体材料的代表，在功率电子领域引发了技术革新，但二者特性差异显著，适用场景各有侧重。以下从材料特性、性能优势、应用局限及发展趋势四方面展开分析，以呈现两者的综合对比。

在当今追求高效、节能、小型化的科技浪潮中，电力电子技术作为电能转换与管理的核心，其发展水平至关重要。而这一切的基础，很大程度上依赖于作为电路“开关”的功率半导体器件。近年来，一种名为碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的新型器件正以前所未有的性能优势，颠覆着传统的硅基功率器件市场，成为引领下一代电力电子技术革命的核心力量。

碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借其低损耗、高频特性及耐高温优势，在电力电子领域占据重要地位，以下从技术特性、代表型号及应用场景三方面展开详细分析：

为了突破这一瓶颈，宽禁带半导体材料应运而生，其中碳化硅（SiC）因其卓越的物理特性脱颖而出。而碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Barrier Diode, SBD）作为最先实现商业化并广泛应用的SiC功率器件，已成为提升现代电力电子系统性能的关键引擎。