碳化硅(SiC) 肖特基二极管代表型号有哪些？

时间：2025-09-09 阅读量：11

碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借其低损耗、高频特性及耐高温优势，在电力电子领域占据重要地位，以下从技术特性、代表型号及应用场景三方面展开详细分析：
技术特性与核心优势
SiC肖特基二极管采用宽禁带材料碳化硅制成，其禁带宽度达3.2eV，远超硅基器件的1.1eV，使得器件耐压可达1200V以上，反向恢复时间缩短至20ns以内，开关损耗降低50%以上。独特的结势垒肖特基（JBS）结构有效抑制反向漏电流，配合高导热率（49W/cm·K），可在-40℃至175℃环境下稳定工作，适用于高频（1MHz）场景。相比硅基快恢复二极管，SiC SBD的正向压降更低，如瑞能半导体WNSC6D10650T在10A电流下室温压降仅1.29V，150℃时仍控制在1.65V以内，显著提升能效。
代表型号与厂商技术路径
国际厂商标杆产品
Wolfspeed（Cree）：C3D系列覆盖650V至1700V电压等级，如C3D06060A支持60A电流，采用第三代外延技术，适用于电动汽车逆变器及光伏逆变器。
Rohm：SCT3027AL集成低导通电阻与高频特性，正向压降1.35V，适用于电机驱动及充电桩。
Infineon：FFD100N65S2通过车规级认证，耐压650V，电流100A，应用于工业电源及轨道交通。
ST Microelectronics：STPSC10065系列针对光伏领域优化，1200V耐压下正向压降1.5V，效率提升显著。
国内厂商创新突破
无锡国晶微：HLS系列实现650V至1700V全电压覆盖，如HLS065H006B支持6A电流，通过工业级可靠性测试，应用于智能电网及高频电焊。
瑞能半导体：WNSC系列采用第六代外延+晶圆键合技术，如WNSC6D10650T在10A电流下正向压降1.29V，高温稳定性突出，适用于LED驱动及电源模块。
倾佳电子：B3D40120H2作为光伏逆变器首选，1200V耐压下支持40A电流，零反向恢复电荷特性优化开关损耗。
Vishay：第三代1200V SiC SBD采用混合PIN肖特基（MPS）结构，电流范围5A至40A，低电容电荷特性提升开关电源能效。
应用场景与市场趋势
在电动汽车领域，SiC SBD用于车载充电机及牵引逆变器，提升高压平台效率并缩小体积，如特斯拉Model 3逆变器采用SiC器件后续航提升10%。光伏逆变器中，SiC SBD的高频特性使转换效率提升至99%，同时降低系统重量。工业电源领域，UPS及变频器通过SiC SBD实现高频化设计，减少电容体积并提升能效。随着8英寸衬底技术成熟，生产成本持续下降，预计2025年全球SiC功率器件市场规模将达30亿美元，渗透率在新能源汽车、可再生能源等领域持续提升。
综上所述，碳化硅肖特基二极管通过材料特性与结构创新，在高压、高频、高温场景中展现不可替代的优势，随着技术迭代与成本优化，其应用边界将持续扩展，推动电力电子领域向更高效、更紧凑的方向发展。

碳化硅(SiC) 肖特基二极管代表型号有哪些？

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