英飞凌半导体公司，专注于提供高效能的功率器件，包括功率MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等产品。这些器件广泛应用于电力电子、汽车、工业控制、电源管理和无线充电等领域。英飞凌的产品线涵盖从几十瓦到上千千瓦的功率范围，满足了市场上对高性能、高可靠性和高效率的需求。
英飞凌的功率MOSFET产品线包括多种类型，如N沟道和P沟道功率MOSFET、IGBT、氮化镓HEMT等。其中，N沟道功率MOSFET主要用于栅极相对于源极的负电压下工作，而P沟道功率MOSFET则在栅极相对于源极的正电压下工作。英飞凌的CoolMOS™超结MOSFET和CoolSiC™碳化硅MOSFET产品系列提供了更高的性能和效率，适用于照明、电视、音响设备、服务器、电信基础设施、光伏、电动汽车充电、DC-DC转换器、车载充电器等众多领域。
英飞凌的IGBT产品线包括IGBT单管和IGBT模块，这些产品在工业和汽车电子领域得到了广泛应用。IGBT单管具有高电压和电流额定值，能够处理高功率应用。英飞凌的IGBT数据手册包含了诸如集电极-发射极电压VCE、集电极直流电流IC、集电极瞬态电流ICplus、共封装续流二极管电流IF和瞬态电流IFplus、栅极-发射极电压VGE、耗散功率Ptot等关键参数，这些参数对于理解和设计IGBT的应用至关重要。
除了功率MOSFET和IGBT之外，英飞凌还提供了一系列其他功率器件，如二极管、晶闸管、氮化镓器件、智能功率开关、线性稳压器、DC-DC转换器、照明芯片、栅极驱动IC、电机控制IC、AC-DC电源转换器、固态继电器、D类音频放大器解决方案、智能功率模块(IPM)、无接触功率和传感IC、电源管理芯片(PMIC)和系统基础芯片(SBC)等。
英飞凌的功率器件产品线丰富多样，涵盖了从几十瓦到上千千瓦的功率范围，适用于各种高功率应用场景。英飞凌不断推陈出新，其产品和技术在市场上享有盛誉，为全球的电力电子技术发展做出了重要贡献。
